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삼성이 새로운 메모리 기술인 Selector-Only Memory(SOM) 개발에 박차를 가하고 있습니다. 이 기술은 플래시 메모리의 비휘발성과 DRAM의 초고속 읽기/쓰기 속도를 결합해 차세대 메모리 혁신을 이끌어갈 것으로 기대되고 있습니다. 특히, SOM은 칩을 쌓아 용량을 높일 수 있어 더 높은 밀도를 구현할 수 있다는 점에서 주목받고 있습니다.

SOM의 핵심은 특별한 칼코게나이드(chalcogenide) 소재를 사용하여 메모리 셀과 셀렉터 장치 역할을 동시에 수행하는 데 있습니다. 기존의 페이즈 체인지 메모리나 저항성 RAM에서는 별도의 셀렉터 역할을 하는 트랜지스터가 필요하지만, SOM은 칼코게나이드 물질 자체가 도전성과 저항성 상태를 전환하며 데이터를 저장합니다.

삼성은 이 기술을 구현하기 위해 약 4,000여 가지 칼코게나이드 조합을 컴퓨터 모델링을 통해 시뮬레이션했으며, 이 중에서 18개의 최적 후보를 선정해 실제 제작 및 테스트에 들어갈 예정입니다. 모델링 과정에서 열 안정성, 전기적 특성, 스위칭 속도 등 주요 요소를 종합적으로 평가하여 가장 유망한 조합을 선별했습니다.

삼성은 이 기술로 전통적인 실험 방식으로는 놓칠 수 있었던 고성능의 잠재적 후보 물질들을 찾아내는 데 성공했다고 밝혔습니다. 이러한 시뮬레이션을 통한 가속화는 SOM 상용화를 위한 시장 경쟁에서 삼성이 중요한 우위를 차지할 수 있는 요소로 작용할 것으로 보입니다.

삼성은 이번 연구 결과를 12월에 열리는 국제전자소자학회(IEDM)에서 발표할 예정입니다. 이미 지난해에도 64Gb 용량의 16nm 셀 크기의 SOM 칩을 선보여 그 가능성을 입증한 만큼, 이번 발표가 업계의 큰 관심을 받을 것으로 예상됩니다.